L'équipe N°4 travaille sur les matériaux semiconducteurs III-V à base de GaSb, en vue de leur utilisation dans la technologie des composants optoélectroniques d’extrémité, notamment les photodétecteurs et les lasers. Notre travail consiste à étudier l’électronique des hétérojonctions intervenant dans la composition de ces dispositifs, pour en améliorer les performances.
L’essor des systèmes optoélectroniques a amené les scientifiques à rechercher des matériaux nouveaux capables de développer les performances des dispositifs existants, et répondre à des besoins nouveaux. C’est pourquoi les alliages semiconducteurs à base d’antimoine de gallium (GaSb), sont apparus ces dernières années d’un grand intérêt comme composants d’extrémité dans les systèmes optoélectroniques. Les systèmes quaternaires Ga1-xAlxAs1-ySby / GaSb et Ga1-xInxAs1-ySby /GaSb sont susceptibles d’utilisation en photodétection dans le proche infrarouge, en raison de la possibilité de croissance de couches quaternaires accordées à des substrats GaSb. Le système à GaAlSb, peut être monocristallisé avec des longueurs d’onde d’utilisation comprise entre 1,3 m et 1,7 m ; pour servir dans les communications par fibres optiques à verre de silice (1). Les alliages GaAlAsSb et GaInAsSb peuvent être également utilisés comme zone active dans les lasers, et comme photodétecteurs dans le moyen infrarouge (2-5).

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ALLOUCHE Habib Dr. Univ. Oran1 Table 'icares_alpha.canvas' doesn't exist